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SUNFUNは40年にわたりスマートエネルギーとインテリジェント製造に専念し、パートナーに信頼できる先進技術とソリューションを提供してきました。
ミクロン単位の精密加工から百トン級の大型部品まで、0.1グラムから150トンの加工に対応し、エネルギー消費の変動を0.1％以内に管理しています。
イノベーションは、企業成長の原動力です。私たちは政府、大学、企業と連携し、産業の革新を推進。業界に継続的な活力をもたらしています。
自社の研究所と人材アカデミーを有するハイテク企業として、SUNFUNは十数件に及ぶ国家レベルの研究開発プロジェクトを担当し、国家発展改革委員会・科学技術部・工業情報化部などの主要案件にも参画しています。
ヘテロジャンクション（HJT）太陽電池を製造するための中核的な生産装置であり、主に以下の装置群から構成されています。洗浄・テクスチャ処理装置、PECVD（プラズマCVD）装置、PVD/RPD薄膜成膜装置 など。HJTセルは、対称構造の両面発電セルであり、中央にN型単結晶シリコン層を配置し、その上にi（非ドープ）アモルファスシリコン薄膜とP型アモルファスシリコン薄膜を順に堆積することで、PN接合を形成します。また、裏面側にも同様にi層アモルファスシリコン薄膜およびN型アモルファスシリコン薄膜を順に堆積し、背面電場（Back Surface Field, BSF）構造を形成します。この構造に用いられる単結晶シリコンは、石英や黒鉛と同様に高い結晶性を持ち、優れた導電性と高い光電変換効率を実現します。結晶シリコンとアモルファスシリコン双方の利点を融合した革新的な技術であり、従来セルにおけるドーピング層と基板界面でのキャリア再結合損失という課題を大幅に改善しました。さらに、HJTセルでは、両面の導電性を確保するために透明導電膜（TCO）を両面に成膜し、その後スクリーン印刷技術により両面電極を形成します。これにより、発電効率の高い両面発電型次世代セルの量産化が可能となります。
