SUNFUNは40年にわたりスマートエネルギーとインテリジェント製造に専念し、パートナーに信頼できる先進技術とソリューションを提供してきました。
ミクロン単位の精密加工から百トン級の大型部品まで、0.1グラムから150トンの加工に対応し、エネルギー消費の変動を0.1%以内に管理しています。
イノベーションは、企業成長の原動力です。私たちは政府、大学、企業と連携し、産業の革新を推進。業界に継続的な活力をもたらしています。
自社の研究所と人材アカデミーを有するハイテク企業として、SUNFUNは十数件に及ぶ国家レベルの研究開発プロジェクトを担当し、国家発展改革委員会・科学技術部・工業情報化部などの主要案件にも参画しています。
シリコンデバイス裏面注入活性化用
UPLD システムは、独自の IR アニーリング技術、IGBT パワー デバイスのより薄くより深いアニーリング プロセスのための深部活性化を使用して、極薄で大きな反りのあるウェーハの正確かつ信頼性の高い転写を実現します
特長
極薄ウェーハや反りのあるウェーハも確実にハンドリング
90%以上のアニーリング活性化
7μmより深いところを活性化する独自のIRレーザー











